檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "李志堅".ccommittee (精準) and ckeyword.raw="光電晶體"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文研製積體化紫外光感測器與LED警示燈。所使用的晶圓為商用氮化鎵晶圓，經由光罩設計與利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，達到選擇性地將部分最上層的p-GaN反轉成n-GaN，使…
2
本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖形化藍寶石基板的晶圓，製作兩種不同種類的光偵測器，第一種為p-i-n結構光偵測器，第二種為n-p-i-n結構光電晶體光偵測器，後者使用矽擴散的…
3
金屬氧化物薄膜電晶體具有高載子遷移率、大面積下有良好的均勻性、低溫製程及高光穿透度等優點，因此被廣泛的應用在顯示器領域，除此之外，金屬氧化物薄膜電晶體也可以作為光感測的用途，其具有比光二極體更高的光…
4
以金屬氧化物為通道的薄膜電晶體因其高載子遷移率、均勻性、可在較低溫下成長等特性，除了應用於軟性電子或是顯示器領域皆具有相當高的潛力外，也可以當作光電晶體，不同於光二極體，其具有高響應度與靈敏度，因此…
5
本論文主要研究氮化鎵光偵測器與LED警示燈模組，在功能上做應用端的延伸以及元件改良，使研發模組具有更好的元件性能以及多樣的應用端功能，來實現未來商業化的可能性。 在模組元件氮化鎵光偵測器與L…
6
本論文使用學長製作出的氮化鎵光電晶體光偵測器，量測出其暗電流(Dark current)、外部量子效應(EQE)、計算出響應率、響應時間、響應的雜訊以及不同光強度下的電壓訊號。量測的元件為n-p-i…
7
本論文我們製作了近紫外光p-i-n偵測器與異質接面光電晶體(Heterojunction phototransistors, HPTs)。兩種光偵測器都是設計了兩種形狀，有方型與長型。異質接面光電晶…
8
顯示器在日常生活中的應用越來越廣泛，其應用包含高畫素大尺寸主動矩陣式有機發光二極體顯示器、虛擬時境及互動式顯示器，這些下一世代的顯示器皆具備高畫素密度，而金屬氧化物薄膜電晶體搭配傳統的二氧化矽閘極絕…